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基于Acute皇晶TL2236B+邏輯分析儀的NAND Flash 總線觸發與譯碼近年以來受惠影音消費性電子產品興起的熱潮，消費者對數據儲存的需求與日俱增，使得NAND Flash的需求出現大幅度的成長。 閃存(Flash Memory)目前分為NOR和NAND兩種，NOR、NAND Flash結構由東芝(Toshiba)于1988
和1989年發表。NOR Flash 具有XIP (eXecute In
Place)的特點，這樣應用程序可以直接在Flash內運行，不必再把原始碼讀到系統RAM中，也因此部份NOR Flash被當作ROM使用。NOR
Flash傳輸效率很高，在1~4MB的小容量具有很高的成本效益，但是很低的寫入和抹除速度大大影響它的性能。而NAND
Flash能提供較高的單元密度，可以達到高儲存密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND
Flash的困難在于需要特殊的系統管理方法，所以需要1個控制芯片(NAND Flash Controller)。一般而言NOR
Flash僅用來儲存少量的代碼，而NAND Flash則用做大量數據儲存用途。目前市場上主要的NAND
Flash制造商為三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、SK海力士(Hynix)、美光(Micron)和閃迪(SanDisk)等。 NAND Flash需求主要集中在智能型手機、平板計算機、云端儲存大型數據庫用的固態硬盤(SSD)以及應用在消費端如記憶卡(Secure Card)、U盤(USB Disk)等。 雖然NAND Flash如此蓬勃的發展，但市面上針對NAND Flash總線的除錯工具真可謂少之又少，Acute TL2236B+
PC-Based邏輯分析儀提供NAND Flash總線觸發與譯碼。NAND
Flash總線譯碼可以幫助工程師解讀訊號而觸發功能則可以快速定位到NAND Flash Command/Address/Data，甚至是busy
time error的位置。 NAND Flash總線譯碼:
NAND Flash總線譯碼支持Samsung/Toshiba/Hynix/Micron/Intel/ST/Spansion/ Winbond/Macronix/ONFI等廠家。 其中”儲存NAND Flash Data”功能可將NAND
Flash總線解出來的數據，屬于Data的部份另外存成.Bin檔案，因為NAND Flash是一種會發生壞塊(Bad
Block)的儲存架構，所以需要制定一套壞塊管理方法。而工程師可以利用這些檔案來檢視其壞塊管理法是否適當�！癛educed
Report”功能可讓報告窗口僅顯示NAND Flash Command，這樣就可以僅檢視NAND Flash
Command而不會被大量NAND Flash Data占據整個報告窗口。 NAND Flash總線觸發:
NAND Flash總線觸發除了可以快速定位NAND Flash command/address/data以及busy time
error的位置之外，還可以利用NAND Flash總線觸發提供的Clause
Trigger架構以及搭配Timer/Counter來做不同的觸發組合。 出現10次NAND Flash erase時觸發:
可以藉由上述之觸發組合來檢測Flash擦除(erase)次數是否正確；也可以利用類似的觸發組合來檢測NAND Flash其他的指令是否正常運作，諸如寫入Flash、讀取Flash等等。 Acute PC-Based邏輯分析儀NAND Flash總線觸發與譯碼功能可以幫助NAND Flash工程師快速解讀以及定位NAND Flash信號，節省除錯時間并加快產品上 市時間。 |
